Begriffserklärung: Czochralski-Verfahren

Das Czochralski-Verfahren wurde nach seinem Entdecker Jan Czochralski (1885–1953) benannt, der 1916 diese bedeutende Entdeckung machte. Heute wird das Verfahren hauptsächlich zur Produktion von monokristallinen Solarzellen verwendet. In diesem Prozess entstehen säulenförmige Barren, sogenannte Ingots, aus denen später Wafer geschnitten werden, die als Vorstufe der Solarzellen dienen.

Der Ablauf des Czochralski-Verfahrens ist wie folgt:

1. Halbleitermaterial wird      in einem Tiegel geschmolzen.

2. Das      Material wird knapp über dem Schmelzpunkt gehalten, sodass es zähflüssig      bleibt.

3. Ein      kristallisierter Impfkeim wird in das geschmolzene Halbleitermaterial      eingetaucht.

4. Durch      Dreh- und Hebebewegungen wird Schmelzmaterial an den Impfkeim gebunden,      das langsam abkühlt und erstarrt.

5. Beim      Erstarren setzt sich die kristalline Form des Impfkeims fort, sodass ein      Einkristall entsteht.

Diese künstlich hergestellten Einkristalle ist die Grundlage für monokristalline Solarzellen, die in der Photovoltaik verwendet werden.